Разработка технологии плазмохимического осаждения пленки Si3N4 для конденсаторов и СВЧ МИС различных типов-2
Проблема проекта
В современных СВЧ монолитных интегральных схемах конденсаторы могут занимать значительную площадь кристалла, что существенно снижает степень интеграции и повышает стоимость изделия
Цель проекта
Оптимизация технологии ПХО пленок нитрида кремния для создания миниатюрных конденсаторов высокой емкости (1-200 пФ) для СВЧ МИС с улучшенными характеристиками пробивного напряжения и токов утечки
Требуемые направления
-
Электроника и наноэлектроника (магистратура) (всего мест: 3; осталось мест: 3)
-
Любое направление (всего мест: 2; осталось мест: 2)