Проблема проекта

В современной микроэлектронике переход к технологическим нормам менее 100 нм сопровождается критическим ухудшением управляемости транзистора со стороны затвора. Это явление приводит к снижению порогового напряжения при уменьшении длины канала, что делает невозможным прогнозирование работы транзистора в цифровых схемах без сложного многопараметрического моделирования.

Цель проекта

Разработка модели и установление количественных зависимостей влияния геометрических размеров затвора на пороговое напряжение транзистора в субмикронном диапазоне для более точного прогнозирования работы транзистора в цифровых схемах

Требуемые направления

• Электроника и наноэлектроника (всего мест: 5; осталось мест: 5)

Вакансии