Разработка технологии плазмохимического осаждения пленки Si3N4 для конденсаторов и СВЧ МИС различных типов
Проблема проекта
В современных СВЧ монолитных интегральных схемах конденсаторы могут занимать значительную площадь кристалла, что существенно снижает степень интеграции и повышает стоимость изделия
Цель проекта
Разработка оптимизированной технологии ПХО пленок нитрида кремния для создания миниатюрных конденсаторов высокой емкости (1-200 пФ) для СВЧ МИС с улучшенными характеристиками пробивного напряжения и токов утечки
Требуемые направления
-
Электроника и наноэлектроника (всего мест: 5; осталось мест: 5)