Разработка технологии плазмохимического осаждения пленки Si3N4 для коденсаторов СВЧ МИС различных типов-2
Проблема проекта
В современных СВч монолитных интегральных схемах конденсаторы могут занимать значительную площадь кристалла, что существенно снижает степень интеграции и повышает стоимость изделия
Цель проекта
разработка оптимизированной технологии ПХО пленок нитрида кремния для создания миниатюрных конденсаторов высокой емкости (1-200 пФ) для СВЧ МИС с улучшенными характеристиками пробивного напряжения и токов утечки
Требуемые направления
-
Электроника и наноэлектроника (всего мест: 5; осталось мест: 3)